Trắc nghiệm Kỹ thuật điện đề số 4 (có đáp án)

A. 50mVpp

B. 0,2Vpp

C. 7,5Vpp

D. 15Vpp

A. 50mVpp

B. 0,2Vpp

C. 7,5Vpp

D. 15Vpp

A. Do beta thay đổi theo nhiệt độ

B. Do beta thay đổi theo sự thay đổi ở các tụ ghép tầng

C. Do beta khác nhau trong các BJT cùng loại

D. Cả a và c

A. + 50% và - 50%

B. +50% và - 100%

C. + 100% và - 50%

D. + 100% và -100%

A. Điện áp collector sẽ thay đổi

B. Dòng collector sẽ thay đổi

C. Dòng emitter sẽ thay đổi

D. Tất cả các ý trên

A. Dòng base không chảy qua Rb1hoặc Rb2

B. Dòng base nhỏ so với dòng chảy qua Rb1và Rb2

C. Chỉ có dòng emitter ảnh hưởng đến dòng chảy qua Rb1và Rb2

D. Tụ nối tầng (tụ ghép tầng) chặn dòng base chảy qua mạch phân áp

A. Nhân dòng collector với điện trở collector

B. Nhân dòng collector với điện trở tải

C. Cộng điện áp base với điện áp emitter

D. Trừ sụt áp trên điện trở collector khỏi điện áp nguồn

A. Làm giảm độ ổn định

B. Trở kháng ra thấp

C. Suy giảm hệ số khuyếch đại điện áp

D. Cả b và c

A. Nối tiếp

B. Nối tiếp / song song

C. Song song

D. Nối tiếp ngược chiều nhau

A. Nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh base

B. Song song với điện trở tín hiệu ở nhánh base

C. Song song với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter

D. Nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter

A. Điện trở collector

B. Điện trở tải

C. Điện trở collector mắc song song với điện trở tải

D. Beta lần điện trở collector

A. Được rẽ mạch tụ toàn bộ

B. Phân tách điện trở emitter

C. Không được rẽ mạch tụ

D. Tất cả các ý trên

A. Được rẽ mạch tụ toàn bộ

B. Phân tách điện trở emitter

C. Không được rẽ mạch tụ

D. Tất cả các ý trên

A. Được rẽ mạch tụ toàn bộ

B. Phân tách điện trở emitter

C. Không được rẽ mạch tụ

D. Tất cả các ý trên

A. 0V

B. 0,7V

C. 2V

D. Vcc.

A. Phụ thuộc vào beta

B. Được tính bằng công thức chung như đối với mạch khuyếch đại phân cực phân áp

C. Bằng với x re

D. Luôn luôn cao hơn so với hệ số khuyếch đại điện áp của mạch kh. đại phân cực phân áp.

A. Các tín hiệu tần số cao

B. Các tín hiệu tần số cao

C. Các mạch cần trở kháng vào rất cao

D. Các mạch cần trở kháng vào rất cao

A. Giá trị công suất trên điện trở collector

B. Hệ số khuyếch đại điện áp của bộ khuyếch đại

C. Giá trị điện trở của điện trở hồi tiếp

D. Cả b và c

A. Do trở kháng vào toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng

B. Do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo

C. Do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo

D. Cả b và c

A. Các tụ ghép cho phép mạch khuyếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC

B. Các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mổi tầng độc lập nhau

C. Các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở emitter nên làm tăng hệ số khuyếch đại

D. Cả b và c.

A. Tổng trở kháng vào của mổi tầng

B. Tích hệ số khuyếch đại điện áp của mổi tầng

C. Hệ số khuyếch đại điện áp của tầng đầu tiên

D. Hệ số khuyếch đại điện áp của tầng cuối

A. Tụ C3bị ngắn mạch

B. Tụ C5bị hở mạch

C. Mạch đúng chức năng

D. Tụ C4hở mạch

A. Beta với hệ số khuyếch đại điện áp

B. Bình phương dòng tải với điện áp tải

C. Gệ số khuyếch đại điện áp với hệ số khuyếch đại dòng

D. Công suất vào và công suất ra

A. Emitter chung

B. Base chung

C. Collector chung

D. Tất cả các ý trên

A. 40

B. 80

C. 60

D. 1600